MEMS微加工

TSV加工

TSV 三维集成技术以穿硅孔互连技术(Through-Silicon-Via,简称 TSV 技术)、芯片层叠技术为支撑的系统级封装(System-In–Package,简称 SIP),通过 TSV 互连在芯片层次实现同质或异质芯片间的垂直集成与通信;与传统 SIP 技术相比,具有互连长度短,低延迟,高带宽,高集成密度,小体积,低功耗等技术优势。

高深宽比TSV铜电镀填充结构

最大深宽比10,最小直径10μm,最大深度400μm

(a)通孔

(b)盲孔

TSV结构

环形TSV存在中空结构,有利于应力释放,降低封装;
相比全铜填充TSV,环形TSV射频性能更加优异,高频损耗更小

空气绝缘低阻硅TSV结构

通过自由端释放温度变化产生的应力,实现低应力封装 单个TSV电阻率<1.5Ω

具有凹坑腔体的玻璃绝缘低阻硅TSI结构

存在与TSI连通的腔体结构,对于小芯片更易定位,垂直互连长度更短,避免大深宽比TSI的制造;
同时降低了封装体积

大尺寸高深宽比玻璃绝缘低阻硅TSI结构

通过玻璃浆料作为绝缘物填充,具有良好的绝缘性能和生物兼容性