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TSV工艺

TSV 三维集成技术以穿硅孔互连技术(Through-Silicon-Via,简称 TSV 技术)、芯片层叠技术为支撑的系统级封装(System-In–Package,简称 SIP),通过 TSV 互连在芯片层次实现同质或异质芯片间的垂直集成与通信;与传统 SIP 技术相比,具有互连长度短,低延迟,高带宽,高集成密度,小体积,低功耗等技术优势。

  • 详细信息

高深宽比TSV铜电镀填充结构

最大深宽比10,最小直径10μm,最大深度400μm




(a)通孔



(b)盲孔



环形TSV结构
环形TSV存在中空结构,有利于应力释放,降低封装;
相比全铜填充TSV,环形TSV射频性能更加优异,高频损耗更小





空气绝缘低阻硅TSV结构
通过自由端释放温度变化产生的应力,实现低应力封装 单个TSV电阻率<1.5Ω



具有凹坑腔体的玻璃绝缘低阻硅TSI结构
存在与TSI连通的腔体结构,对于小芯片更易定位,垂直互连长度更短,避免大深宽比TSI的制造;
同时降低了封装体积。



大尺寸高深宽比玻璃绝缘低阻硅TSI结构
通过玻璃浆料作为绝缘物填充,具有良好的绝缘性能和生物兼容性。




V形TGV结构
玻璃介电性能优异,信号传输完整性较好
CTE与硅接近,且易于加工。


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