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光刻

光刻工艺是MEMS技术里用得最频繁,最关键的技术之一,光刻工艺将掩膜图形转移到衬底表面的光刻胶图形上,根据曝光方式可分为接触式、接近式和投影式。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。

  • 详细信息

EBL电子束光刻:最小线宽50nm,精度可达10%。

stepper步进式光刻:stepper i7/i10/i12,最小线宽350nm,曝光误差±0.1um,最大曝光面积6英寸。

Mask aligner:MA6/BA6光刻机,最小线宽1um,曝光误差±0.5um。

可进行双面光刻,对准套刻

兼容6英寸、4英寸、2英寸、不规则小片

材料可为硅片、石英片、玻璃片等基底


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