EBL电子束光刻：最小线宽50nm,精度可达10%。
stepper步进式光刻：stepper i7/i10/i12，最小线宽350nm，曝光误差±0.1um，最大曝光面积6英寸。
Mask aligner：MA6/BA6光刻机，最小线宽1um，曝光误差±0.5um。
可进行双面光刻，对准套刻
兼容6英寸、4英寸、2英寸、不规则小片
材料可为硅片、石英片、玻璃片等基底
华南 宋经理
18626113701
stepper步进式光刻：stepper i7/i10/i12，最小线宽350nm，曝光误差±0.1um，最大曝光面积6英寸。
Mask aligner：MA6/BA6光刻机，最小线宽1um，曝光误差±0.5um。
可进行双面光刻，对准套刻
兼容6英寸、4英寸、2英寸、不规则小片
材料可为硅片、石英片、玻璃片等基底
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