EBL电子束光刻:最小线宽50nm,精度可达10%。
stepper步进式光刻:stepper i7/i10/i12,最小线宽350nm,曝光误差±0.1um,最大曝光面积6英寸。
Mask aligner:MA6/BA6光刻机,最小线宽1um,曝光误差±0.5um。
可进行双面光刻,对准套刻
兼容6英寸、4英寸、2英寸、不规则小片
材料可为硅片、石英片、玻璃片等基底
stepper步进式光刻:stepper i7/i10/i12,最小线宽350nm,曝光误差±0.1um,最大曝光面积6英寸。
Mask aligner:MA6/BA6光刻机,最小线宽1um,曝光误差±0.5um。
可进行双面光刻,对准套刻
兼容6英寸、4英寸、2英寸、不规则小片
材料可为硅片、石英片、玻璃片等基底
苏州工业园区金鸡湖大道99号纳米城17幢401 邮编:215123